Institute for Design Problems in Microelectronics, معهد بحثي في موسكو، روسيا
معهد مشاكل التصميم في الإلكترونيات الدقيقة هو منشأة بحثية في موسكو تركز على أتمتة تصميم الأنظمة النانوية والإلكترونيات الدقيقة. مختبراته مجهزة بأدوات متخصصة لدعم الأبحاث المتقدمة في هذا المجال.
تأسست المنشأة في عام 1986 وتعمل تحت إشراف المركز الوطني للبحوث معهد كورتشاتوف كجزء من الأكاديمية الروسية للعلوم. وقد شكل هذا الانتماء تطورها منذ إنشائها.
يستضيف المعهد مؤتمرات ومسابقات علمية منتظمة تجمع الباحثين من جميع أنحاء روسيا. أصبحت هذه التجمعات نقاط لقاء مهمة للأشخاص العاملين في أبحاث وتطوير الإلكترونيات الدقيقة.
يقع المعهد في منطقة بحثية مخصصة في موسكو مع مرافق مختبرية حديثة. يجب أن يعرف الزوار أن هذه منشأة بحثية ذات وصول مقيد وعادة ما تكون الترتيبات المسبقة مطلوبة.
تعمل المنشأة مع 11 شركة تقنية لإنشاء مركز تصميم الإلكترونيات الدقيقة بدورة كاملة. حوالي 50 عالماً ومهندساً يطورون حلولاً مبتكرة لصناعة أشباه الموصلات في هذا المركز التعاوني.
مجتمع المسافرين الفضوليين
يجمع AroundUs آلاف الأماكن المختارة والنصائح المحلية والجواهر الخفية، ويُثريها يوميًا 90,815 مساهم حول العالم.
